SiC MOSFET; TSEPs; Qusai-threshold voltage; Junction temperature; Measurement;
机译:基于开启的基于延迟的SiC MOSFET的实时结温测量,用于老化补偿
机译:基于结电容的SiC MOSFET的温度无关栅极氧化物劣化监测
机译:考虑对BTI和结温耦合影响的SIC MOSFET阈值电压的在线监测
机译:使用导通延迟时间在线监测SiC MOSFET的结温度
机译:使用SiC MOSFET的高温逆变器的外围电路研究。
机译:SiC MOSFET的400 V微型直流固态断路器的设计
机译:高电流接通电压的SiC MOSFET结温监测
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。