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SiC基MOSFET结温在线监测系统和在线监测方法

摘要

一种SiC基MOSFET结温在线监测系统和在线监测方法,SiC基MOSFET结温在线监测系统包括:电流标定模块,第一数据拟合模块、第二数据拟合模块、工作采样模块、第一测试结温获取单元、第二测试结温获取单元、比较修正模块,所述电流标定模块包括第一电流标定模块和第二电流标定模块。所述SiC基MOSFET结温在线监测系统能够提高测试结温的精度且可用于在线监测结温。

著录项

  • 公开/公告号CN112229530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN202011062518.X

  • 发明设计人 郑丹;宁圃奇;范涛;温旭辉;

    申请日2020-09-30

  • 分类号G01K7/01(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;

  • 代理人李博洋

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2023-06-19 09:33:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-03

    授权

    发明专利权授予

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