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Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate

机译:Si(111)衬底上GaSb团簇形成的Monte Carlo模拟

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摘要

Simulation of GaSb crystal formation on silicon substrate according to solid phase epitaxy was carried out using a kinetic lattice Monte Carlo model. Dependence of nanocrystal morphology and density was demonstrated to be dependent on gallium/antimony flu
机译:使用动力学晶格蒙特卡洛模型进行了根据固相外延在硅衬底上形成GaSb晶体的模拟。纳米晶体的形态和密度的依赖关系被证明依赖于镓/锑流感

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