Ge/Pb/Si(111)生长中Ge原子沿团簇边缘扩散的三维Monte-Carlo模拟

吴黎黎; 吴锋民

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用动态Monte-Carlo方法对Ge在单层表面活性剂Pb覆盖的Si(111)表面上沿团簇边缘扩散进行三维模拟.重点讨论Ge原子是否沿团簇边缘扩散,沿边缘扩散时的最大扩散步数及最近邻原子数对三维生长的影响,并计算薄膜表面粗糙度研究三维生长模式.模拟表明Ge沿团簇边缘扩散的行为对薄膜生长模式的影响很大,同时讨论了ES势对三维生长模式的影响.

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来源
《计算物理》 |2013年第3期|441-446|共6页
作者
吴黎黎; 吴锋民;
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作者单位

浙江师范大学凝聚态物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理模拟方法、物理仿真;
关键词
沿团簇边缘扩散; 表面活性剂; 表面粗糙度; Monte-Carlo模拟;

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