Gallium nitride; Threshold voltage; Temperature; Power supplies; MOSFET; Integrated circuits;
机译:GaN基功率芯片的单片集成设计,包括用于高温DC-DC转换器的栅极驱动器
机译:通过研究漂移输运特性的温度相关性影响研究AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:与GaN HFET相比,GaN MOSFET的基本设计优势在于功率应用
机译:低温漂移欠压锁定电路的设计 - 用于GaN FET电源驱动器IC
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:功率开关晶体管GaN MOSFET的驱动器