Load modeling; Frequency measurement; Scattering parameters; Current measurement; Logic gates; Capacitance; HEMTs;
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征
机译:具有自热和俘获效应的GaN HEMT经验大信号模型参数提取方法
机译:AlGaN / GaN功率HEMT的电热模型,包括俘获效应以改善高VSWR上的大信号仿真结果
机译:表征和电气建模,包括AIN / GAN HEMT 4×50μm在硅衬底上的捕获效果
机译:用于高频应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT中的陷获效应:使用大信号网络分析仪和深层光谱学进行建模和表征。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征