Noise figure; Gallium nitride; Gain; Linearity; HEMTs; Low-noise amplifiers;
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:18-56-GHz宽带GaN低噪声放大器,具有2.2-4.4 -4-DB噪声系数
机译:具有0.4–1.1 dB噪声系数的22–30 GHz GaN低噪声放大器
机译:具有低于2 dB噪声系数的X波段鲁棒GaN低噪声放大器MMIC
机译:X波段GaN MMIC逆-F PA优化负载调制
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:坚固的GaN HEMT低噪声放大器MMIC ud适用于X波段应用
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC