Phase noise; Voltage-controlled oscillators; RF signals; Resonant frequency; Tools; CMOS technology; Topology;
机译:在52 GHz f_T SiGe:C BiCMOS技术中设计20 GHz高性能LC-VCO
机译:采用65 nm RF CMOS技术的4.48-5.89 GHz LC-VCO设计
机译:采用电流重用和交叉耦合的变压器反馈技术的1 V 2.2 mW 7 GHz CMOS正交VCO
机译:使用BICMOS技术设计低噪声5GHz差分交叉耦合VCO和Colpitts VCO
机译:CMOS和硅锗HBT技术中2.4 GHz和5 GHz RFIC前端组件的设计。
机译:基于180nm CMOS技术的基于MEMS的振荡器设计
机译:高效,完全集成的180nm CMOS 1-8GHz行波功率放大器的分析和设计