Graphene; Resistance; Resonant tunneling devices; Current density; Temperature measurement; Semiconductor device measurement;
机译:双双层石墨烯-WSE2异质结构中高电流密度的相干层间隧道和负差分电阻
机译:双双层石墨烯-WSE 2 sub>异质结构高电流密度的相干层间隧穿和负差分电阻
机译:基于In_(0.53)Ga_(0.47)As / AlAs / InP的单孔谐振隧道二极管异质结构,室温下峰谷比为22:1
机译:双双层石墨烯-WSE2谐振隧道异质结构,具有高层间电流密度和峰 - 谷比率
机译:经典等离子体中的胶体吸引和双层量子霍尔系统中的层间隧穿。
机译:光子双量子阱异质结构中的共振隧穿
机译:相干层间隧穿和负微分电阻 双层双层石墨烯-Wse2异质结构中的高电流密度
机译:具有高峰谷比的谐振隧穿二极管的Wigner函数建模