Analysis of SEL on commercial SRAM memories for latchup detection and protection in LEO space applications

机译：LEO空间应用中用于闩锁检测和保护的商用SRAM存储器上的SEL分析

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SEL characterization of commercial SRAM memories has been carried out to select the best candidate for a latchup experiment in LEO space environment. A circuit for SEL detection and protection has been proposed and tested at CERN in the CHARM mixed-field facility.

机译：已经对商用SRAM存储器进行SEL表征，以选择LEO空间环境中闩锁实验的最佳候选者。已经在CARM混合场设施的CERN提出并测试了用于SEL检测和保护的电路。

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来源
《European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems》|2016年|1-5|共5页
会议地点
作者
R. Secondo; R. Garcia Alia; P. Peronnard; M. Brugger; A. Masi; S. Danzeca; R. Ferraro; A. Merlenghi; J. R. Vaille; L. Dusseau;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Random access memory; Monitoring; Particle beams; Low earth orbit satellites; Space vehicles; Field programmable gate arrays; Radiation effects;

机译：随机存取存储器;监测;粒子束;低地球轨道卫星;航天器;现场可编程门阵列;辐射效应;

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