Silicon carbide; Scattering; Computational modeling; Mathematical model; Monte Carlo methods; Impurities; Electric fields;
机译:使用集成蒙特卡罗方法计算高电子迁移率晶体管中的电子速度分布
机译:TB带结构计算在应变Si DG-FET中电子迁移率的蒙特卡罗模拟
机译:4H-SiC中的霍尔迁移率,测量和蒙特卡洛模拟
机译:电子迁移率计算的4H-SiC集成蒙特卡洛模拟
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:Neptun 10 PC医用线性加速器的蒙特卡洛模拟和电子束输出因子的计算
机译:使用DFT计算的状态的4H-SiC中电子传输的蒙特卡罗模拟
机译:用集合蒙特卡罗方法计算高电子迁移率晶体管中的电子速度分布