Atomic force microscopy (AFM); MOSFET; channel hot-carrier (CHC) degradation; negative bias temperature instability (NBTI);
机译:高能中子对应变和非应变SOI MuGFET和平面MOSFET的影响
机译:拉伸接触蚀刻停止层对嵌入硅-碳合金应力源的纳米级应变NMOSFET的应力影响
机译:TCAD模拟研究应变工程对带有硅碳合金应力源的纳米应变Si NMOSFET的影响
机译:NBTI和CHC应力对应力和非应变MOSFET的纳米级电性能的影响
机译:电应力源对功率MOSFET降解过程影响的建模
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:纳米级mOsFET中的NBTI - 终极建模基准