机译:短沟道三材料双栅金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的二维分析模型
机译:基于潜在的阈值电压和用于无连接双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅模型,具有双层栅极
机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的电势分布和阈值电压的二维模型
机译:双栅极超瘦身 - 型晶体管的电压可扩展性,IV组,III-V组的通道材料基于ITRS度量的III-V至2D-Materics 2018年及以后
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:阶梯通道厚度双栅隧道场效应晶体管的仿真研究
机译:基于2D材料的场效应晶体管的小信号模型 针对射频应用:考虑的重要性 非互易电容
机译:短沟道场效应晶体管的电流 - 电压特性。