indium phosphide; gallium indium arsenide; SWIR Imaging; epitaxial growth; MOCVD; photodetectors;
机译:使用氮载体进行LP-MOCVD生长的W波段应用的0.1- / spl mu / m T-gate无铝InP / InGaAs / InP pHEMT
机译:通过窄孔的MOCVD选择性生长InP及其在InP HBT外源性基础再生中的应用
机译:InP上用于红外光电探测器应用的高质量InAs量子点多层结构的生长
机译:通过MOCVD在4'InP上GaInAs光电探测器的多晶片生长,用于SWIR成像应用
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:InP上用于红外光电探测器应用的高质量InAs量子点多层结构的生长
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。