机译:使用基于异质结Ⅱ型超晶格的光电探测器制造12μm像素间距1280×1024扩展短波长红外焦平面阵列
机译:在轴(001)GaP / Si上生长的InAs / InGaAs量子点p-i-n光电二极管的低暗电流10 Gbit / s操作
机译:(001)硅衬底上的GaAs-InGaAs-GaAs鳍状阵列隧道二极管,室温峰谷电流比为5.4
机译:低暗电流1024x1280 Ingaas Pin阵列
机译:具有片上电流生成功能的1024位神经刺激阵列。
机译:电极阵列上阳极溶出伏安法与采样电流伏安法的耦合:在铅检测中的应用
机译:GaAs-Ingaas-Gaas Fin阵列(001)Si基板上的隧道二极管,房间温度峰值与谷电流比为5.4