机译:迭代法精确提取超短沟道MOSFET的有效沟道长度和源/漏串联电阻
机译:非对称重/轻掺杂DG MOSFET的短沟道漏极电流模型
机译:具有最佳离子剂量的轻掺杂漏极结构对p沟道MOSFET的影响
机译:一种用于轻掺杂漏极MOSFET的有效沟道长度的新提取方法
机译:铟镓砷金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有5 nm沟道,并通过MBE再生长实现自对准源/漏。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:从小信号沟道电导测量中提取MOSFET阈值电压,串联电阻,有效沟道长度和反型迁移率
机译:用于VLsI(超大规模集成)mOsFET的改进的轻掺杂漏极结构