机译:在25 Gbit / s下运行的氧化物限制的850 nm VCSEL每位耗散56 fJ能量
机译:850 nm VCSEL以108 fJ / bit的散热耗能实现40 Gbit / s的节能传输
机译:在25 C–70 C下运行的20 Gb / s 850 nm氧化物VCSEL
机译:氧化物受限的850-nm VCSEL以25 Gb / s的速度运行,每位耗散功率超低56 fJ
机译:硅衬底上非外延拓扑绝缘体引起的超低功率自旋轨道转矩磁化转换
机译:超过1 km的多模光纤,850 nm氧化物限制的VCSEL的20 Gbit / s无错误运行