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VCSEL氧化物限制工艺研究

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摘要

介绍了研制垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)核心技术之一,氧化物限制工艺,讨论了温度与氧化速率之间的关系.

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来源
《长春理工大学学报（自然科学版）》 |2004年第1期|56-58|共3页
作者
赵英杰; 刘文莉; 李林; 郝永芹; 姜晓光; 苏伟; 晏长岭;
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作者单位

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;

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长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
垂直腔; 面发射; 激光器; 氧化物限制;

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