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【24h】

Lasing in GaAs1#x2212;xBix/GaAs thin film cavity with low-temperature-dependent oscillation wavelength

机译:Gaas 1-X / INM> BI X / INF> / GaAs薄膜腔,具有低温依赖性振荡波长

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摘要

Lasing oscillation from GaAs1−xBix/GaAs thin film with Fabry-Perot cavity was performed for the first time by photo-pumping. The lasing emission peak energy decreased at a constant rate of −0.18 meV/K, which is only 40 % of the temperature coefficient of the GaAs band gap.
机译:通过光泵送首次进行来自GaAs 1-X / INF> BI X / INF> / GAAS薄膜的振荡,并通过照片泵浦进行。激光发射峰值能量以-0.18mev / k的恒定速率降低,这仅是GaAs带隙温度系数的40%。

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