Semiconductor-metal interfaces; Stimulated emission; Indium tin oxide; Gallium arsenide; Terahertz radiation; Plasmons; Substrates;
机译:飞秒激光脉冲烧蚀半绝缘砷化镓表面的太赫兹折射各向异性
机译:亚绝缘砷化镓与亚波长一维金属线阵列集成的太赫兹发射增强
机译:电子照射和热退火对半绝缘镓 - 砷酰胺α-粒子探测器特性的影响
机译:基于半绝缘砷化镓的领结光电导天线产生THz辐射
机译:太赫兹脉冲产生过程中低温砷化镓和半绝缘砷化镓的衬底条件比较
机译:在半绝缘砷化镓上通过喷涂技术沉积的基于碳纳米管的光电探测器
机译:半绝缘砷化镓的光学表征
机译:半导体和半绝缘砷化镓界面的迁移率,掺杂和载流子分布。