indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; electrical conductivity; wafer bonding; surface treatment; semiconductor junctions; orientation-mismatched interface; electrical conductivity; wafer bonding; surface treatment method; VCSEL; polarization control; InP-GaAs;
机译:在InP(100)和GaAs_xN_(1-x)(100)表面上双吸附物稳定的重构物的结构和电子性质
机译:表面取向对In含量为0.53和0.70的(100),(111)A和(111)B InGaAs表面及其Al_2O_3 / InGaAs金属氧化物半导体界面特性的影响
机译:在GaAs和InP衬底上生长的具有高InAs含量(37-100%)的变质纳米异质结构的结构和电学性质
机译:(311)B InP /(100)GaAs取向不匹配界面的电学性质以及表面制备方法的影响
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:具有硫化物钝化作用的晶片键合的p-GaAs / n-InP界面的电性能得到改善
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性