机译:InGaAsP-InP压缩应变MQW脊形波导激光器在1.3 / spl mu / m时的效率和损耗的阱数,长度和温度依赖性
机译:低阈值1.3- / spl mu / m激光器的应变InAsP / InGaAsP量子阱结构的MOVPE生长
机译:具有InAlAs电子阻挡层的1.55 / splμm/ m应变InGaAsP / InGaAlAs MQW激光器在高温下的激光发射特性
机译:用于MQW激光器的GSMBE生长的应变InGaAs / InGaAsP结构的生长和特征为2.0 / spl mu / m
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:InGaAsp / IngaASP MQW DCPBH激光器的制造和调制特性在λ~1.57μm
机译:mOCVD生长的InGaasp双异质结构二极管激光器。