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Study of titanium nitride underlayer properties and its influence on tungsten growth

机译:氮化钛底层特性及其对钨生长的影响研究

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摘要

The changes in tungsten (W) film growth and resistance are studied using different titanium nitride (TiN) underlayer films. Different precursors and processes used for TiN deposition affect the W growth and film properties. It is important to monitor the changes in incoming TiN resistance as a part of W process qualification. This enables maintaining W process stability and reducing fab downtime due to false fails.
机译:使用不同的氮化钛(锡)底层膜研究钨(W)膜生长和抗性的变化。用于锡沉积的不同前体和方法影响W生长和薄膜性能。重要的是要监控作为W流程资格的一部分的传入锡电阻的变化。这使得能够维持W过程稳定性并且由于FALSE失败而减少Fab停机。

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