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【24h】

Angled flip-flop single-event cross sections for submicron bulk CMOS technologies

机译:亚微米批量CMOS技术的成角度触发器单事件横截面

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摘要

Experimental angled heavy-ion single-event cross sections for hardened and unhardened flip-flops for technology nodes ranging from 28-nm to 130-nm are compared. Results show that hardened flip-flop cross sections increase at a faster rate with increasing angle of incidence than unhardened designs as technology scales. Hardened flip-flop cross section approaches unhardened flip-flop cross section for high incidence angular strikes, and surpasses unhardened flip-flop cross sections at 28-nm feature sizes.
机译:比较了用于技术节点范围从28 nm到130 nm的硬化和未硬化触发器的实验成角度的重离子单事件横截面。结果表明,随着技术的发展,与未硬化的设计相比,硬化的触发器横截面随入射角的增加而以更快的速率增加。硬化的触发器横截面接近未硬化的触发器横截面,以产生高入射角冲击,并以28 nm的特征尺寸超过未硬化的触发器横截面。

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