CMOS integrated circuits; CMOS technology; Flip-flops; Ions; Layout; Robustness; Transistors; DICE flip-flop; flip-flop; hardened flip-flop; single-event cross section; single-event upset;
机译:采用40nm大块CMOS技术的单事件容限触发器设计
机译:触发器重离子单事件翻转截面的技术比例比较
机译:16纳米大容量FinFET CMOS工艺中基于感测放大器的触发器设计的单事件性能
机译:亚微米散装CMOS技术的Angling Flip-Flop单事件横截面
机译:批量CMOS中未硬化和硬化触发器的单事件翻转技术缩放趋势
机译:用于亚微米像素的45 nm堆叠式CMOS图像传感器处理技术
机译:深亚微米体CmOs中谐振CmOs光子调制器的高速调制