机译:高效的半极(11-22)550 nm黄色/绿色IngaN发光二极管低缺损密度(11-22)GaN / Sapphire模板
机译:在图案化r蓝宝石上制造的低缺陷(11(2)over-bar2)GaN模板上生长的半极性InGaN量子阱的绿色发射
机译:非极性(101’0),(112’0)和半极性{202’1} GaN表面的从头算密度函数理论研究
机译:高质量,低缺陷密度半极和非极性GaN模板的开发
机译:降低缺陷密度的nAlGaN模板层可改善输出深紫外LED
机译:低密度脂蛋白受体相关蛋白6突变体在丘脑背侧发育中的严重缺陷。
机译:高质量的Semipolar GaN / Sapphire模板中生长高效的半极性IngaN长波长发光二极管和蓝色激光二极管的研制
机译:新型碳化钽(TaC)衬底上低缺陷密度氮化镓(GaN)薄膜的生长,提高器件性能