机译:SnO_2纳米线通过热蒸发制备并在不同环境中退火的低温光致发光的起源
机译:通过低温快速热退火制备的Ga注入的Si p / sup +/- n浅结的电性能
机译:快速热退火后低剂量砷离子注入硅的室温光致发光特性
机译:通过低温选择性外延生长和快速热退火制造的GE波导的显着改善
机译:通过低温化学气相沉积在硅上选择性外延生长碳化硅。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:室温的转移 - 低气+ -implanted的SiO2Films经受快速热退火的影响