Anodes; Cathodes; Junctions; Electric potential; Insulated gate bipolar transistors; Doping; Logic gates;
机译:超结SOI横向IGBT的关断瞬态:机理和优化策略
机译:具有集成在场氧化物上的高压p-i-n二极管的超低关断损耗SOI-LIGBT
机译:电感负载切换期间具有p埋层的超低关断损耗SOI LIGBT
机译:具有超低关断损耗和饱和电流的新型二极管钳位载流SOI横向超结IGBT
机译:一种新型薄层SOI载体储存沟槽LIGBT,具有增强的发射极注入