III-V; gadolinium oxide; high-k; indium phosphide; plasma oxidation; sputtering;
机译:无需界面处理的高压溅射法在磷化铟上沉积的高介电常数氧化g
机译:反应式磁控溅射Cu_2O:取决于氧气压力和与铟锡氧化物的界面形成
机译:高压溅射法将scan离子用于下一代高k电介质
机译:迈向与III-V通道的高k集成:磷化铟上高压溅射氧化g的界面优化
机译:掩埋沟道III-V MOSFET和势垒层/高k介面的制造和表征
机译:单结GaAs太阳能电池上溅射的二氧化硅氧化铟锡和二氧化硅/氧化铟锡抗反射涂层的电学和光学特性
机译:硅上高压溅射沉积金属metallic薄膜的原位等离子体氧化工艺优化