IGBTs; Power applications; TCAD simulations; Voltage-Sensor; inductive Turn-off; transient characteristics;
机译:集成电压传感器的3.3 kV PT-IGBT
机译:具有单相集成电压和电流传感器的3.3 KV IGBT的新产生
机译:背面工艺导致3.3 kV级NPT-IGBT降低阳极注入效率的实验研究
机译:集成在3.3 kV IGBT中的电压传感器
机译:15 kV SiC IGBT实现中压功率转换
机译:Kv3.1和Kv3.3钾通道的消融破坏了体外和体内的丘脑皮层振荡。
机译:集成电压传感器的3.3 kV PT-IGBT