surface morphology; surface instabilities; step bunching;
机译:研究生长和后生长过程对4H碳化硅膜表面形态的影响
机译:研究生长速率,错切方向和后生长氩退火对同质外延生长4H碳化硅薄膜表面形态的影响
机译:生长后快速热退火对氢化非晶碳化硅薄膜的影响
机译:生长速率,墨迹方向与生殖氩气退火对胎儿碳硅膜表面形态的影响研究
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:碳化硅衬底上纳米级厚Au / Pd双金属薄膜的形貌演化
机译:通过量子化学计算研究碳化硅化学气相沉积过程中硅生长物质的吸附和表面扩散