Wide temperature range compact modeling of SiGe HBTs for space applications

机译：用于航天应用的SiGe HBT的宽温度范围紧凑模型

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We present here wide temperature range compact modeling of Silicon-Germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs) based on Most EXquisite TRAnsistor Model (Mextram). Various modifications and extensions are made to enable modeling of DC characteristics from 43–393 K, and AC characteristics from 93–393 K.

机译：我们在此基于最精致的TRAnsistor模型（Mextram）对硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行宽温度范围的紧凑建模。进行了各种修改和扩展，以实现从43-393 K的DC特性和93-393 K的AC特性建模。

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来源
《43rd IEEE Southeastern Symposium on System Theory》|2011年|p.110-113|共4页
会议地点
作者
Luo Lan; Xu Ziyan; Niu Guofu; Chakraborty Partha S.; Cheng Peng; Thomas Dylan; Moen Kurt; Cressler John D.; Mudholkar Mihir; Mantooth H. Alan;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类通信理论;
关键词
Mextram; SiGe HBT; compact model; cryogenic temperature;

机译：Mextram; SiGe HBT;紧凑模型;低温;

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