MOCVD; Ill-nitrides; SSL; LEDs on si substrate; si substrate removal;
机译:使用基于
机译:改善通过湿法和ICP蚀刻在蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的性能
机译:通过湿法刻蚀在Al_2O _3 / Si衬底上开发独立式InGaN LED器件
机译:湿法蚀刻带有ALD-AL203 / SI基材的独立GAN LED
机译:湿蚀刻中同时控制临界尺寸和侧壁斜率的最佳设计。
机译:揭示侧壁取向在GaN基紫外发光二极管的湿法化学蚀刻中的作用
机译:改善通过湿法和ICP蚀刻在蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的性能
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告