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Phase Change Memory development trends

机译:相变存储器的发展趋势

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摘要

At the beginning of this decade, in early 2000, few disruptive technologies had been proposed to replace the industry standard Non-Volatile Memory (NVM) technology and to enlarge the Flash application base [1]. A widely accepted statement was that if any technology will succeed, it will materialize in the next decade.
机译:在这十年的开始,即2000年初,很少有人提出破坏性技术来取代行业标准的非易失性存储器(NVM)技术并扩大Flash应用基础[1]。一种广泛接受的说法是,如果有任何技术能够成功,它将在未来十年内实现。

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