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Design impacts on NAND Flash memory core circuits with vertical MOSFETs

机译：设计对采用垂直MOSFET的NAND闪存核心电路的影响

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By utilizing the vertical MOSFETs advantages, the compact, efficient, and low-power peripheral core circuit design for the NAND Flash memory has been proposed.

机译：通过利用垂直MOSFET的优点，已经提出了用于NAND闪存的紧凑，高效和低功率外围核心电路设计。

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来源
《IEEE International Memory Workshop 》|2010年|p.1-4|共4页
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作者
Sakui Koji; Endoh Tetsuo;
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