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【24h】

Layout-aware multi-cell upsets effects analysis on TMR circuits implemented on SRAM-based FPGAs

机译:对基于SRAM的FPGA上实现的TMR电路具有布局意识的多单元扰动效果分析

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摘要

We developed a tool combining the layout information obtained from laser screening of a device with an algorithm for estimating multi-cell upsets effects on TMR circuits implemented on SRAM-based FPGAs. Detailed experimental results are provided.
机译:我们开发了一种工具,该工具将通过对设备进行激光筛选获得的布局信息与一种算法相结合,以估算在基于SRAM的FPGA上实现的TMR电路上的多单元扰动效应。提供了详细的实验结果。

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