GaN; light-emitting diodes (LEDs); light output power; leakage current; deep donor-acceptor pair (DDAP);
机译:p-GaN /溅射沉积NiAg基电极的界面性能对垂直GaN基LED的光学性能的影响
机译:抑制反应离子刻蚀造成的GaN基LED泄漏电流
机译:通过V-Pit形成提高GaN基LED的光提取效率并降低漏电流
机译:用P-GaN的化学蚀刻改善GaN的LED漏电流和光学性质
机译:使用激光辅助剥离和无电极光化学蚀刻增强基于氮化镓的LED的光提取。
机译:光辅助化学蚀刻后通过退火沉积的GaN基薄膜LED表面的纳米棒
机译:为了改进使用在线耦合模型模拟中国气溶胶的化学和光学特性– CUaCE /航空