机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:Al掩模的表面氧化,用于二氧化硅光波导的深干蚀刻
机译:镍和铜的蚀刻掩模选择性对碳化硅(SIC)深,各向异性等离子体蚀刻过程的蚀刻掩模选择性
机译:MEMS深各向异性硅刻蚀工艺的研究进展
机译:优化了用于MEMS旋转发动机动力系统的超深反应离子刻蚀硅组件的制造。
机译:二甲基亚砜对自腐蚀底漆和表面和深层牙本质的腐蚀和冲洗粘合剂的粘结强度的影响
机译:SOI MEMS处理对牺牲氧化物蚀刻诱导的基板锚定周长变化不敏感
机译:通过mUmps(多用户mEms工艺)计划推进mEms技术的使用