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ADVANCES IN DEEP OXIDE ETCH PROCESSING FOR MEMS -MASK SELECTION

机译:用于MEMS掩膜选择的深氧化蚀刻工艺的研究进展。

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摘要

This paper presents the latest developments in high quality oxide etching using a new planar ICP source (the AOE source) which has been specifically designed for dielectric etch applications. Three types of masking systems, photoresist, silicon and metal have been investigated and the suitability of each mask type for a range of MEMS and optoelectronics applications will be discussed.
机译:本文介绍了使用新型平面ICP源(AOE源)进行的高质量氧化物刻蚀的最新进展,该平面ICP源是专为电介质刻蚀应用而设计的。已经研究了三种类型的掩模系统,光致抗蚀剂,硅和金属,并将讨论每种掩模类型对一系列MEMS和光电应用的适用性。

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