机译:用2MeV Se +和1MeV Al +离子对4H SiC外延层和衬底进行离子注入
机译:高强度脉冲等离子体束产生的耐腐蚀Ti-Pd表面合金,第二部分。使用MEVVA离子源通过脉冲注入掺杂模式与钯注入进行沉积
机译:MeV离子注入和退火处理的LiNbO_3的介电功能
机译:MEV离子植入的最新进展
机译:通过金属蒸气真空电弧(MEVVA)离子注入制备的FeSi(2)薄膜和沉淀物的形成和表征。
机译:MeVisLab下的颅骨3D植入物的交互式重建作为商业计划软件的替代
机译:meV氢注入产生的硅中深掺杂分布:注入参数的影响
机译:离子束通过注入2 meV Ir离子合成Irsi3