机译:碘化铅单晶的直拉生长:与布里奇曼法的比较研究
机译:3“ -4”砷化镓晶体的蒸气压控制Czochralski(VCZ)生长的全局温度场模拟
机译:在锗单晶生长的不同阶段的RF Czochralski炉的全局模拟,第II部分:研究坩埚相对位置对等温,流场和热弹性应力的影响
机译:Bridgman和Czochralski晶体增长的本地和全球模拟
机译:通过Czochralski和Bridgman技术研究精选的II-VI氧化物的晶体生长。
机译:模拟蛋白质晶体的成核和早期生长阶段。
机译:Bridgman和液体封装的直拉晶体生长的局部和全局模拟