post-silicon optimization; representative critical path;
机译:使用代表性的关键路径捕获后硅变化
机译:使用代表性关键路径选择进行老化和变化感知的延迟监控
机译:EffiTest2:工艺变化下硅后时钟偏斜配置的有效延迟测试和预测
机译:合成用于硅延迟预测的代表性关键路径
机译:全系统关键路径分析和性能预测。
机译:学习时间延迟的模型代表适应性髓鞘形成
机译:合成硅后延迟预测的典型关键路径
机译:采用蒙特卡罗关键路径建模系统评价屋面钻/面钻和刀具/面钻的地下采矿维修延误。最终技术报告