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机译:具有增强型位线和偏移源过驱动方案的0.5V / 100 MHz over VCC接地数据存储(OVGS)SRAM单元架构
H. Yamauchi; T. Iwata; H. Akamatsu; A. Matsuzawa;
机译:0.5 V单电源供电的高速升压和偏置接地数据存储(BOGS)SRAM单元架构
机译:5MHz,3.6mW,1.4V SRAM,具有非增强型垂直双极性位线接触式存储单元
机译:0.5 V / 100 MHz over-V / sub CC /接地数据存储(OVGS)SRAM单元架构,具有增强的位线和偏置源过驱动方案
机译:共享源线存储体系结构,用于字节可变的闪存单元数据存储,使用寿命长
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