High-Temperature Gate Capacitances of Thin-Film SOI MOSFETs

机译：薄膜SOI MOSFET的高温栅极电容

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This paper presents original measurements and two-dimensional simulations of high-temperature SOI MOSFET intrinsic gate capacitances. Results regarding threshold voltage extraction, impact ionization effects and subthreshold capacitance are discussed.

机译：本文介绍了高温SOI MOSFET固有栅极电容的原始测量结果和二维模拟。讨论了有关阈值电压提取，碰撞电离效应和亚阈值电容的结果。

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来源
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》|1993年|687-690|共4页
会议地点
作者
Gentinne B.; Flandre D.; Colinge J.-P.; Van de Wiele F.;
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正文语种
中图分类非金属材料;
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