机译:基于Ingaas / Inalas / InP异质轴结构的雪崩光电二极管阵列,具有分离的吸收和乘法区
机译:使用异质结构作为单独的吸收和倍增区域的高增益N面AlGaN太阳盲雪崩光电二极管
机译:响应速度和响应时间可调的分离吸收倍增4H-SiC雪崩光电二极管
机译:4H-SIC单独吸收和倍增区域雪崩光电二极管结构对UV检测的比较
机译:具有高速和高带宽积的谐振腔分离吸收和倍增雪崩光电二极管
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:高紫外检测效率4H-SIC分离吸收电荷和乘法雪崩光电二极管结构的优化策略