power field effect transistors; microwave field effect transistors; microwave power transistors; millimetre wave field effect transistors; millimetre wave power transistors; leakage currents; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; aluminium compounds; gallium compounds; double heterojunction field effect transistor; microwave power applications; millimeterwave power applications; semiconductor device performance; single heterojunction FET; SHFET; DHFET; buffer layer; subthreshold drain leakage current; buffer isolation; T-gates; saturated power density; 10 GHz; 0.15 micron; AlGaN-GaN-AlGaN;
机译:使用精确的速度场相关性对高功率微波频率应用中的AlGaN / GaN调制掺杂场效应晶体管进行分析
机译:微波和毫米波频率下的(In)AlGaN异质结场效应晶体管和电路用于大功率应用
机译:大功率微波应用中AlGaN / GaN金属绝缘体半导电异质结场效应晶体管的分析性能评估及其与常规HFET的比较
机译:用于微波和毫米波功率应用的GaN双异质结场效应晶体管
机译:磷化铟镓/砷化镓双异质结双极晶体管在微波功率放大器应用中的研究。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于微波功率应用的AlGaN / GaN偏振掺杂场效应晶体管
机译:用于微波功率应用的宽带转移衬底alGaN-GaN异质结双极晶体管