electron impact ionisation; integrated circuit modelling; electrostatic discharge; integrated circuit testing; power integrated circuits; high-temperature effects; electron impact-ionization coefficient; large operating temperatures; impact-ionization model; simulation tools; failure threshold; ESD protection; power devices; 300 to 773 K;
机译:高温下硅中电子碰撞电离系数的测量和建模
机译:4H-SiC中电子和空穴的碰撞电离系数的测量
机译:在300至83 K的温度范围内,UHV / CVD SiGe HBT中的电子碰撞电离效应
机译:大工作温度下电子碰撞电离系数的实验提取
机译:对流传热系数的实验研究和涉及高温储热系统的计算机模型校准
机译:带有金属氧化物空穴提取层的有机太阳能电池的工作温度稳定性得到增强
机译:实验N V和Ne VIII低温双电子复合率系数
机译:多组分扩散中的等特征值:从三元系统中的实验数据中提取扩散系数。