III-V semiconductors; Poisson equation; Schrodinger equation; Stark effect; aluminium compounds; band structure; gallium compounds; potential energy surfaces; semiconductor quantum wells; spectral line shift; wide band gap semiconductors; Al/sub x/Ga/sub 1-x/N-GaN;
机译:极化电场对AlxGa1-xN / GaN双量子阱中子带结构的影响
机译:极化电场对Al(chi)Ga(1-chi)N / GaN双量子阱中子带结构的影响
机译:极化电场对Al_xGa_(1-x)N / GaN双量子阱中子带间跃迁的波长和吸收系数的影响
机译:极化电场对Al x sub> Ga 1-x sub> N / GaN双量子阱中子带结构和电子分布的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:调制扶手椅GaN纳米带的电子结构通过电场作用下的化学官能化
机译:极化诱导电场在InGaN / GaN量子之字形异质结构中电吸收的比较研究