CMOS memory circuits; copper; ferroelectric capacitors; ferroelectric storage; iridium compounds; metallisation; random-access storage; ruthenium compounds; strontium compounds; 1.8 V; 130 nm; 150 C; 70 hrs; 730 mV; BEOL process; CMOS; Cu; FeRAM; SrRuO/sub 3/-IrO/sub 2/; e;
机译:具有Cu BEOL工艺的SrRuO_3 / IrO_2顶部电极FeRAM,用于130纳米及以后的嵌入式存储器
机译:Pb(Zr,Ti)O_3薄膜电容器与Pt,IrO_2和SrRuO_3顶部电极的界面效应
机译:具有SrRuO_3和IrO_2薄膜顶电极的(111)和(100)/(001)取向的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜电容器的极化反转
机译:Srruo / sub 3 // irO / sub 2 /顶电极Feram,带Cu Beol工艺,用于130nm的嵌入式存储器和超越
机译:BEoL Cu / Low-k叠层的3-D断裂研究,以评估和减轻回流过程中的CPI风险。
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:血浆Cu Beol工艺金属间电介质损伤的试验图案设计