infrared detectors; readout electronics; current mirrors; circuit feedback; CMOS image sensors; photodetectors; QWIP infrared detector arrays; current mirroring integration; CMOS readout circuit; quantum well infrared photodetectors; feedback structure; current mirrors; stable bias voltage; integration capacitor; unit pixel; current feedback; CMI structure; circuit prototype; CMOS process; 0 to 3.5 V; 5 V; 6.8 pF; 0.8 microns;
机译:基于电流镜像集成的读出电路,用于高性能红外FPA应用
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机译:用于红外探测器阵列的互补金属氧化物半导体电流读出集成电路的新设计技术
机译:用于QWIP红外探测器阵列的读出电路,使用电流镜像集成
机译:基于硅的热敏红外探测器阵列,包含片上读出电路。
机译:辐射探测器读出电路中基线支架的稳定性
机译:基于电流镜像集成基于高性能红外FPA应用的读出电路