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【24h】

A fully integrated 7-18 GHz power amplifier with on-chip output balun in 75 GHz-f/sub T/ SiGe-bipolar

机译：完全集成的7-18 GHz功率放大器，具有75 GHz-f / sub T / SiGe双极性的片上输出巴伦

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A fully integrated rf power amplifier for 7-18 GHz-f/sub T/ with no external components was realized in a 75GHz-f/sub T/, 0.35/spl mu/m-SiGe-BiCMOS technology. At 17.2GHz the push-pull amplifier with integrated output balun delivers 12dBm, 17.5 dBm at 1.2V, 2.4V.

机译：在75GHz-f / sub T /，0.35 / spl mu / m-SiGe-BiCMOS技术中，实现了无需外部组件的7-18 GHz-f / sub T /的全集成射频功率放大器。集成输出巴伦的推挽放大器在17.2 GHz时在1.2V，2.4V时可提供12dBm，17.5dBm的功率。

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来源
《》|2003年|p.61-64|共4页
会议地点
作者
Bakalski; W.; Vasylyev; A.; Simburger; W.; Thuringer; R.; Wohlmuth; H.-D.; Scholtz; A.L.; Weger; P.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
power amplifiers; integrated circuit design; BiCMOS analogue integrated circuits; baluns; integrated power amplifier; on-chip output balun; rf power amplifier; BiCMOS technology; push-pull amplifier; 7 to 18 GHz; 75 GHz; 0.35 micron; 17.2 GHz; 1.2 V; 2.4;

机译：功率放大器;集成电路设计; BiCMOS模拟集成电路;平衡不平衡放大器;集成功率放大器;片上输出巴伦;射频功率放大器; BiCMOS技术;推挽放大器; 7至18 GHz; 75 GHz; 0.35微米; 17.2 GHz; 1.2 V; 2.4;

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