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A4.8-6 GHz IEEE 802.11a WLAN SiGe-bipolar power amplifier with On-chip output matching

机译:具有片上输出匹配功能的A4.8-6 GHz IEEE 802.11a WLAN SiGe双极功率放大器

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摘要

A fully integrated 4.8-6 GHz Wireless LAN SiGebipolar power amplifier chip requiring no external components was realized using the small die size of only 1x0.9 mm2. At 1V to 2.4V, the maximum out put power level is 19 dBm (22%PAE) to 26.3 dBm(28.5%PAE) at 5.25GHz with a maximum small signal gain of 33 dB. The maximum average out put power for a maximum 3%Error Vector Magnitude (EVM)is 16 dBm.The PA survives a VSWR of 50.
机译:使用仅1x0.9 mm2的小裸片尺寸就可以实现完全集成的4.8-6 GHz无线LAN SiGebipolar功率放大器芯片,无需外部组件。在1V至2.4V时,在5.25 GHz时,最大输出功率电平为19 dBm(22%PAE)至26.3 dBm(28.5%PAE),最大小信号增益为33 dB。最大3%误差矢量幅度(EVM)的最大平均输出功率为16 dBm.PA的VSWR为50。

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